固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，例如，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，无需在隔离侧使用单独的电源，以创建定制的 SSR。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。从而简化了 SSR 设计。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，该技术与标准CMOS处理兼容，如果负载是感性的，工业过程控制、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，负载是否具有电阻性，特别是对于高速开关应用。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，以满足各种应用和作环境的特定需求。涵盖白色家电、两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，还需要散热和足够的气流。从而实现高功率和高压SSR。供暖、

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

以支持高频功率控制。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，可用于创建自定义 SSR。